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      为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求,必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小,清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是****基本的要求,因此必须考虑周全并有所折衷。


      苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、****PP/PVC通风柜/厨、CDS*集中供液系统一站式解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、LED等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。


单晶片清洗 :

      大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法,其清洗过程是在室温下重复利  用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。


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