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      RCA清洗附加兆声能量后,可减少*及DI 水的消耗量,缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间,减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响,增加清洗液使用寿命。


超声清洗:

     对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。



      晶圆清洗是半导体制造典型工序中****常应用的加工步骤。就硅来说,清洗操作的化学制品和工具已非常成熟,有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以,硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是****为成熟的****个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了,这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。

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