清洗|苏州晶淼半导体|晶圆清洗

     就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代****晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与****初RCA的配方相差不大，但整体工艺****明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。

     为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，****数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅****以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。

      随着微粒和金属污染的数量级逐渐减小，以及对这方面的污染控制非常有效，现在更多注意的是有机污染和表面状态相关问题。用简单的灯清洗法可以把有机污染从Si表面除去。此外，应特别注意溶解在水内和气相的臭氧在控制有机污染中的作用。