等离子化学气相沉积设备价格-等离子化学气相沉积设备-沈阳鹏程

ICP刻蚀机的操作及判断

1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电*，热探针与电压表的负*相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，等离子化学气相沉积设备公司，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。

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ICP刻蚀机的检测技术

预报式检测

随着主流半导体工艺技术由0.18 μm 逐渐转移到0.13 μm工艺，以及较新的90 nm 工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，栅氧层的厚度越来越薄。90 nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2 nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好， 则非常容易出现栅氧层的损伤；同时， 所使用的晶片尺寸增至300mm，等离子化学气相沉积设备价格， 暴露在等离子体轰击下的被刻蚀面积不断缩小，等离子化学气相沉积设备，所检测到的终点信号的强度下降，信号的信噪比降低。所有这些因素都对终点检测技术本身及其测量结果的可靠性提出了更加严格的要求。在0.18 μm工艺时，使用单一的OES检测手段就可满足工艺需求;进入0.13 μm 工艺后，就必须结合使用OES 及IEP 两种检测手段。由于IEP技术可以在刻蚀终点到达之前进行预报，因而被称为预报式终点检测技术。

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化学气相沉积的原理

沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：

（1）形成挥发性物质 ；

（2）把上述物质转移至沉积区域 ；

（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。