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串口容量MRAM存储器MR4A08BYS35内存IC

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串口容量MRAM存储器MR4A08BYS35内存IC

串口容量MRAM存储器MR4A08BYS35内存IC
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串口容量MRAM存储器MR4A08BYS35内存IC产品详情

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  • Density:16Mb
  • Org.:2Mx8
  • Voltage:3.3V
  • Pkg.:44-TSOP
  • Temp:Commercial
  • 品牌:其他
  • 封装形式:TSOP
  • 类型:数字集成电路
  • 型号:MR4A08BYS35
  • 批号:18+

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MRAM(Magnetic Random Acces*emory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。



FEATURES

· 3.3 Volt power supply

· Fast 35 ns read/write cycle

· SRAM compatible timing

· Unlimited read & write endurance

· Data always non-volatile for >20-years at temperature

· RoHS-compliant *all footprint BGA and TSOP2 packages

· All product*eet MSL-3 moisture sensitivity level


以上内容为串口容量MRAM存储器MR4A08BYS35内存IC,本产品由深圳市英尚微电子有限公司直销供应。
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