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PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。

离化PVD技术通过将成膜材料高度电离化形成膜材料离子，从而增加膜材料离子的沉积动能，并使之在高化学活性状态下沉积薄膜的技术，包括离子镀、离子束沉积和离子束辅助沉积三类。

离化PVD过程大多是蒸发/溅射（气相物质激发）与等离子体离化过程（赋能、）的交叉结合。

蒸发镀膜是依靠源材料的晶格振动能克服逸出功，从而形成沉积粒子的热发射，气相沉积设备厂商，即：外加能量（电阻/电子束/激光/电弧/射频）赋予材料较高的晶格振动能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而溅射是依靠高能离子输入动能，借助源材料中粒子间的弹性碰撞，致使更高动能粒子逸出。离化PVD 是以其它手段激发沉积物质粒子，然后使之与高度电离的等离子体交互作用（类似 PECVD），促使沉积粒子离化，小型气相沉积设备，使之既可被电场加速而获得更高动能，同时在低温状态下具有高化学活性。

工艺特点

（1）广泛应用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料等。

（2）在产量方面，从单件到大批量皆可。

（3）有质量优势，沉积温度低，薄膜成份易控，气相沉积设备公司，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。

（4）工具涂层的生产效率不如PVD，具体取决于特定技术要求和辅助工艺。

4、适用材料

化学气相沉积曾是真空技术广泛用于陶瓷沉积的一种技术，特别是对工具涂层更是这样。

20世界80年代早期随着等离子体辅助PVD工艺的显露，气相沉积设备，CVD在工具方面的应用衰落了。但由于这种工艺具有非常好的渗入特性，其在CVI、ALE等领域的工艺中有着很好的应用前景，主要用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料。