电子束蒸发镀膜系统生产厂家-电子束蒸发镀膜系统-北京泰科诺
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- 名称北京泰科诺科技有限公司 【公司网站】
- 所在地中国
- 联系人 朱经理
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价格
面议
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- 采购量 不限制
- 发布日期 2019-04-21 06:46 至 长期有效
电子束蒸发镀膜系统生产厂家-电子束蒸发镀膜系统-北京泰科诺产品详情
电子束蒸发使用安全规范?
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
电子束蒸发使用安全规范?
1、?实验前确认事项? A、开启液氮;? B、冷却机水箱是否具有足够的水。?2、?装样? A、?拧开样品台上的四个螺母,断开冷却水管,取出样品台;?B、?使用乙醇擦拭样品台与腔体的接口;?C、?装样;? D、?把样品台放入腔体,拧紧样品台的螺母,接上冷却水管。?3、?开机,抽真空? A、打开总电源,开启冷却水机;? B、打开电脑操作软件,启动分子泵以及机械泵。?4、?除气? A、?待腔体内气压低于10-3pa(时间允许情况下真空度尽量 低);? B、?打开面板电源;?C、?HV降至0V;? D、?CoM设置为Filament?Current;?E、?Pocket?1设置为Enable;? F、?逐渐****Filament?Current至1A,注意不要使真空度降低 过快;? G、?将Filament?Current降至0,关闭Pocket?1。? 5、?镀膜? A、?HV升高至2?kV;? B、?CoM设置为HV?power;? C、?逐渐****其中HV?power(视工艺参数而定),同时注意不要使 真空度降低过快;? D、?打开蒸发源挡板,稳定5分钟;? E、?打开样品台挡板,电子束蒸发镀膜系统生产,正式镀膜,记录镀膜开始时间;?F、?关挡板,记录结束镀膜时间,降低HV?power至0?w,然 后降低HV至0?V(注意降低的顺序不可颠倒);?G、?冷却30分钟。?6、?取样? A、?关闭分子泵以及机械泵,关闭冷却水机;? B、?待分子泵转速低于2000rpm,若电磁阀为自动开启需手动 开启,拧开样品台螺母,通入氮气至样品台可取出(勿正对玻璃观察窗);? C、?断开冷凝水管,取出样品台,取样;?D、?将样品台放入腔体,接上冷凝水管。?7、?关机? A、?关闭总电源;? B、?关闭计算机(勿忘记关闭电磁阀)
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电子束蒸发镀膜机优点
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
优点电子束蒸发可以蒸发高熔点材料,比一般电阻加热蒸发热*、 束流密度大、蒸发速度快,制成的薄膜纯度高、质 量好,厚度可以较准确地控制,可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。 [2] 电子束蒸发的特点是不会或很少覆盖在目标三维结构的两侧,通常只会沉积在目标表面。这是电子束蒸发和溅射的区别
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电子束蒸发镀膜的特点
北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,电子束蒸发镀膜机,电子束蒸发镀膜系统,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。
电子束蒸发镀膜系统
电子束蒸发镀制TiO2薄膜,采用下图所示的离子束辅助电子束蒸发的INTEGRITY-39全自动光学镀膜系统。
1.冷却水进口;2.冷却水出口;3.坩埚;4.束流线圈;5.电子束发射;6.加热灯;7.基片架;8.电机;9.监控片;10.离子源
镀制样品电子枪工作电压为10 kV,电流为200 A,电子束蒸发镀膜系统生产厂家,真空室沉积温度为145~155℃。膜料选用纯度为99.99%的黑色颗粒状Ti2O3,采用CC-105冷阴****离子束进行辅助沉积,沉积时真空室充入纯度为99.99%的O2作为反应气体,同时使用1179A型MKS质量流量计控制反应气体O2的流量,基底为直径25 mm的圆形K9玻璃。
镀制时用机械泵和扩散泵将真空度抽至6.5×10-4Pa时,设定自动镀制程序。当基底被加热到沉积温度150℃时,离子源开始轰击基底,能量控制在60~90 eV,时间10 min。然后自动启动电子枪加热蒸发膜料,沉积薄膜,沉积速率0.38~0.42 nm/s,薄膜沉积到设计厚度440 nm时,程序自动关闭电子枪,完成镀制。
镀膜后真空室自然冷却到室温取出样品,用Lambda900(测试范围为175~3 300 nm)分光光度计进行样品TiO2的光谱测试,采用M*eod软件包络法计算TiO2薄膜的实际厚度,消光系数和折射率。
对真空室通入不同流量的高纯氧气,研究不同的真空度对TiO2的成膜质量、折射率、吸收系数的影响。
在较高的真空度下用离子源辅助蒸发沉积TiO2薄膜时,真空度随通氧量的变化如下表所列。
随着充入真空室内的氧分子被电离成氧离子充分与Ti2O3蒸气分子反应,使得Ti2O3分解所失的氧得到补充,从而生成的薄膜中TiO2成分比较纯净,但是如果通氧量不足或Ti2O3与O2反应不充分,则会形成高吸收的亚氧化钛薄膜TinO2n-1(n=1,2,……,电子束蒸发镀膜系统价格,10)。随着通氧量的增加,TiO2蒸气分子在蒸发上升过程中与氧分子的碰撞几率*而损失了能量,使沉积在基底表面的TiO2动能减小,影响沉积薄膜的附着力和致密性。
对于光学薄膜而言,采用离子源辅助能够增加基底表面膜层分子的动能,不仅对薄膜的折射率有明显的影响,而且能使薄膜致密性及耐潮湿性得以****,同时薄膜在基底上的附着力也有明显好转
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