澳晶硅材料加工-山西澳晶硅材料-镇江澳晶硅材料加工

因而需要探索一种新的多晶硅锭的制备方法，以解决上述存在的技术问题。

本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法可制得转换*的多晶硅锭，制得的多晶硅锭晶粒细小且分布均匀，对应晶砖少子寿命高且低少子寿命杂质点少，无明显枝晶和孪晶产生。

本发明是通过以下技术方案予以实现的。

一种****多晶硅锭的制备方法，所述方法步骤如下:(I)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5: 5 - 7: 3的质量比混合均匀形成混合浆料，将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层；(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层，所述形核源的粒度为30 - 100目，形核源层的厚度为I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;

(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层；(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层，以****形核源在装料过程中遭到*，所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成，所述保护层的厚度为I一 20_ ;

(6)向坩埚内装载固体硅料，关闭多晶硅铸锭炉的保温罩，加热坩埚至1530 - 1560°C直至固体硅料完全熔化成硅液；(7)

通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度，打开保温罩，将保温罩升高5 — 8cm，将多晶铸锭的顶部*区域温度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩埚底部温度降低，坩埚底部硅液处于过冷状态，利用形核源层形核结晶从而得到****多晶硅锭，所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。

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