半导体设计外派、南京半导体设计、拓光微电子(查看)
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- 名称苏州拓光微电子有限公司 【公司网站】
- 所在地中国
- 联系人 徐静
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价格
面议
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- 采购量 不限制
- 发布日期 2018-04-27 05:43 至 长期有效
半导体设计外派、南京半导体设计、拓光微电子(查看)产品详情
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掺杂对结构的影响
掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,半导体设计开发,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅,则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特,远小于硅本身的能隙1.12电子伏特,所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化(ionize)。
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前面说过,集成电路的基础是晶体管,发明了晶体管才有可能创造出集成电路,而晶体管的基础则是半导体,因此半导体也是集成电路的基础。半导体之于集成电路,如同土地之于城市。很明显,南京半导体设计,山地、丘陵多者不适合建造城市,沙化土壤、石灰岩多的地方也不适合建造城市。“建造”城市需要选一块好地,“集成”电路也需要一块合适的基础材料——就是半导体。常见的半导体材料有硅、锗(化合物),其中应用****广的、商用化****成功的当推“硅”。
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半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。
★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
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