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随着碳化硅(SiC)、氮化*(GaN)等新材料陆续应用在二****管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然在成本上仍比传统硅组件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指针，也是硅组件难以望其项背的。 这些新一代组件的商品化，为电力电子产业打开了全新的应用可能性。

更高的功率密度与转换效率，紫外光探测器，是电力电子产业永远追求的目标。 然而，在组件技术未有重大突破的情况下，电力电子设备制造商即便在电路设计上不断*，探测器，提出各种****拓扑架构，uv探测器，对电源系统带来的效率或功率密度提升效果还是遇到瓶颈。

有鉴于此，许多电源相关芯片业者，已经将未来的产品发展*放在碳化硅、氮化*等新一代材料的应用导入上，希望藉由材料与芯片技术的根本性突破，让电力电子应用的功率密度、转换效率更上一层楼。

蓝宝石衬底上典型的UV-LED外延结构图。与GaN基蓝光LED相比，深紫外LED的研制面临着许多*的技术困难，如：高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难，一般而言，Al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109cm-2—1010cm-2乃至更高； AlGaN材料的掺杂与GaN相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，紫外光电探测器，随着Al组分的增加，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-AlGaN的掺杂尤为棘手，掺杂剂Mg的激i活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降；同时紫外LED往往在平面蓝宝石衬底上外延生长，出光效率低等等。针对这些技术难点，目前已经发展出一些解决方案，如AlN同质衬底技术、纳米图形衬底外延技术（NPSS）和透明p型层技术等等。
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