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然而，不管是氮化*或碳化硅，由于是新材料、新制程，因此相关组件的价格至今仍比硅组件高出一截，形成导入障碍。 因此，不管是英飞凌、罗姆、德州仪器或戴乐格，在营销推广的策略上，uv紫外线传感器，都是以价值诉求作为操作*。

马国伟就坦言，碳化硅组件的价格大约是同级硅组件的3～4倍之间，故许多客户在导入时会有一定疑虑。 因此，在市场营销推广上，英飞凌会优先锁定硅组件无法切入或缺点非常明显的市场优先布局，藉由创造经济规模的方法来****碳化硅组件的成本结构。

事实上，以英飞凌为例，目前该公司的碳化硅组件生产已经从4吋晶圆升级到6吋晶圆，未来若市场需求继续成长，继续朝8吋，佛山紫外线传感器，甚至12吋晶圆转进，也是有可能的。 而随着晶圆尺寸放大，碳化硅组件的成本将会比现在更有竞争力。

罗姆则是从整体成本的角度切入。 目前碳化硅组件的单价确实仍比传统硅组件高出数倍之多，但由于逆变器这类应用设备****主要的成本来自散热片跟磁性组件，其中磁性组件的成本占比更可高达40%。 因此，只要能节省磁性组件与散热片的使用量，即便碳化硅组件单价很高，紫外线传感器电路，从总成本的角度来看，还是有竞争力。

相较之下，氮化*与传统硅组件之间虽也有价差，但不像碳化硅与硅组件之间那么明显，因此可以用应用市场区隔的方式来操作。 萧进皇认为，紫外线传感器模块，目前德州仪器是以高阶、小型化电源系统应用作为氮化*产品线锁定的主力市场，因此会与硅组件有一定程度的自然区隔存在。

但整体来说，不管是氮化*或碳化硅，****终都是要以硅组件作为参照点，其应用设计跟报价，都是越接近硅组件，越能说服客户转向新技术。 要达到这个目标，虽然还需要一段时间酝酿，但却不是遥不可及的梦想，在有量就有Cost Down的电子产业，只要能创造经济规模，报价松动就会紧接而来。

外延结构中，可以看到，深紫外LED往往使用pGaN作为p型欧姆接触层，有时候这一层的厚度会达到上百纳米，而pGaN对于*阱发出的深紫外波段光线有强烈的吸收，因此深紫外 LED一般采用倒装结构，如图3所示。通过采用对于深紫外光透明的pAlGaN层、减小pGaN层的厚度，可以有效****这一问题，提升深紫外LED器件的光提取效率。限制深紫外LED器件光提取效率的另一个重要因素是平面蓝宝石衬底，平面蓝宝石衬底导致严重的界面全反射，大量的紫外光限制在外延层中出不来。对于UV-C LED，这一问题尤为严重，随着 Al 组分的增加和波长的减小，发光从TE 模式主导逐渐向 TM 模主导转化，而TM 模的光提取效率不到TE模的十分之一。

? 欧司朗收购LED EnginInc.，****照明布局再下一城

2017年6月6日，欧司朗发布通告表示，公司将收购位于美国加利福尼亚州圣荷西的LED供应商LED EnginInc.。据介绍，LED Engin拥有近30名员工，年销售额达1000万美元左右，专注于提供适用于娱乐照明、紫外线、园艺、可调白光和医疗照明应用等****市场的超亮、超紧凑的固态照明解决方案，其产品主要采用欧司朗光电半导体的LED芯片。

其中，在紫外线产品上，LED Engin为工业应用（如印刷，固化和*市场）提供强大的UV LED。

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