mosfet_苏州硅能(****商家)_mosfet 场效应管

常见的场效应管：

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅****与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（*高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源****S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅****，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

测试方法：

结型场管脚识别

场效应管的栅****相当于晶体管的基****，源****和漏****分别对应于晶体管的发射****和集电场效应管****。

将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏****D和源****S（可互换），余下的一个管脚即为栅****G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一****是屏蔽****（使用中接地）。

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏****电源电压ED一定时，如果栅****电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源****之间导电的沟道越窄，漏****电流ID就愈小；反之，如果栅****电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅****电压EG可以控制漏****电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。