mosfet_mosfet 保护电路_苏州硅能半导体科技1

VMOS场效应管：

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的****、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻*高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（*高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅****的MOSFET。

DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅****去检测相配的DNA链。

FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二****管的特殊FET。

HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅****和体之间的绝缘。

绝缘栅场效应管

1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。

2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。