mosfet,mosfet mos管,苏州硅能(多图)

4.场效应管是由多子参与导电；三****管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、*辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

5.场效应管在源****金属与衬底连在一起时，源****和漏****可以互换使用，且特性变化不大；而三****管的集电****与发射****互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。

根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G****开路，测得漏源电阻1为600Ω，用手捏住G****后，表针向左摆动，指示的电阻1为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅****时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。

从名字表面的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的*个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅****（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅****使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅****开始重新使用金属。