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场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏****电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏****电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏****电流的称为增强型。

作用：

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻*很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻*非常适合作阻*变换。常用于多级放大器的输入级作阻*变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

3：场效应管电流IDS与栅****UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻*很大，输入电流****小；晶体管输入阻*很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅****、源****和漏****大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:*，金属栅****采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏****是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源****S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-*移区，****后垂直向下到达漏****D。因为流通截面积*，所以能通过大电流。由于在栅****与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。