场效应管原理,深圳场效应管,苏州硅能

在二****管加上正向电压（P端接正****，N端接负****）时，二****管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二****管加上反向电压（P端接负****，N端接正****）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二****管截止。在栅****没有电压时，由前面分析可知，在源****与漏****之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅****上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源****和漏****的负电子被吸引出来而涌向栅****，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源****和漏****之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅****电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

中国命名法

有两种命名方法。

场效应管通常有下列两种命名方法。

*种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第2种命名方法与双****型三****管相同，*位用数字代表电****数；第二位用字母代表****性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三****管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三****管。

DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅****的MOSFET。

DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅****去检测相配的DNA链。

FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二****管的特殊FET。

HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅****和体之间的绝缘。