广东mosfet_苏州硅能(在线咨询)_mosfet 作用

从名字表面的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的*个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅****（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅****使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅****开始重新使用金属。

根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G****开路，测得漏源电阻1为600Ω，用手捏住G****后，表针向左摆动，指示的电阻1为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。

运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅****时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。

型号命名：

有两种命名方法。

*种命名方法与双****型三****管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三****管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三****管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。