金诚信(图)、玻封二****管、二****管

半导体二****管

二****管的伏安特性　阳****：由P区引出的电****为阳****。

阴****：由N区引出的电****为阴****。

点接触型二****管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。

面接触型二****管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。

平面型二****管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。

开启电压Uon ：使二****管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。

反向电流：当二****管所加反向电压的数值足够大时，产生反向电流为IS。

在环境温度升高时，二****管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下。如图所示。

温度每升高1°C，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C，反向电流约*一倍。

结论：二****管对温度很敏感。

场效应管是一种单****型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅****(G)和源****(S)之间加上一个反向偏压(称栅****偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏****电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅****电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的****值.

在制造场效应管时,如果在栅****材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅****电流,也大大地增加其输入阻*,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.

二****管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二****管并联的时候要接相适应的电阻。

特性曲线

与PN结一样，二****管具有单向导电性。硅二****管典型伏安

特性曲线（图）。在二****管加有正向电压，当电压值较小时，电流****小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律*，通常称此为二****管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二****管处于完全导通状态，通常称此电压为二****管的导通电压，用符号UD表示。

对于锗二****管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二****管加有反向电压，当电压值较小时，电流****小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧*，称之为反向击穿，称此电压为二****管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二****管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。