二****管、金*咨询)、青岛二****管

变容二****管常见用途：材料多为硅或****单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二****管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容二****管，如有*于谐振电路调谐的电调变容二****管、适用于参放的参放变容二****管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二****管等。

用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二****管称变容二****管。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二****管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二****管，因为这些二****管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

场效应管是一种单****型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅****(G)和源****(S)之间加上一个反向偏压(称栅****偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏****电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅****电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的****值.

在制造场效应管时,如果在栅****材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅****电流,也大大地增加其输入阻*,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.

a、目视法判断半导体二****管的****性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二****管的正负****.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负****,另外一端是正****.

b、用万用表(指针表)判断半导体二****管的****性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二****管的两个****上出,当二****管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二****管的正****,红表笔接的是二****管的负****.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二****管的负****,红表笔接的是二****管的正****.

c、测试注意事项：用数字式万用表去测二****管时，红表笔接二****管的正****，黑表笔接二****管的负****，此时测得的阻值才是二****管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。