可控硅通态压降测试台 半导体测试行业
第一枪帮您来“拼单”,更多低价等你来!可控硅通态压降测试台 半导体测试行业
- 名称西安智盈电气科技有限公司 【公司网站】
- 所在地中国 陕西 西安 长安区
- 联系人 张芳
- 价格 ¥100000元/台 点此议价
- 采购量 不限制
- 发布日期 2024-04-25 10:52 至 长期有效
可控硅通态压降测试台 半导体测试行业产品详情
- 品牌:其他
- 加工定制:是
- 型号:ZY-1010R
- 测量范围: 2~450mA
- 分辨率:0.01kA
- 测量精度: 2~450mA
- 电源电压:220V
- 环境温度:0度
- 环境湿度:0度
- 用途:测试产品
- 重量:200KG
一、产品简介(供货给北京科研院所)
该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。
该套测试设备主要有以下几个单元组成:
1)门触发参数测试单元
2)维持电流测试单元
3)阻断参数测试单元
4)通态压降参数测试单元
5)电压上升率参数测试单元
6)擎住电流
7)门电阻
8)计算机控制系统
9)合格证标签打印
10)夹具单元;包含平板夹具和模块夹具
二、技术条件
主要技术指标:
2.1 门触发电压/门触发电流测试单元IGT/VGT
1.阳电压:12V;
2.阳串联电阻:6Ω;
3.门触发电压:0.3~5.00V&plun;3%&plun;10mV;
4.门触发电流:2~450mA&plun;3%&plun;1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳电压:12V;
2.预导通电流: >10A,正弦衰减波;
3.维持电流: 2~450mA &plun;5%&plun;1 mA;
4.测试频率:单次;
2.3 通态压降测试单元VTM
1.平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度&plun;1 0A&plun;5%;
2.模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度&plun;1 0A&plun;5%;
3. 电流上升沿时间:≥5ms;
4. 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度&plun;0.1 V&plun;5%;
5. 测试频率:单次;
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1.阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度&plun;0.1 kV&plun;3%;
模块单元阻断电压:0.20~4.00kV
2. 正反向自动测试:
3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:&plun;5%&plun;1 mA;
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。
5. 测试频率: 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1.电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度&plun;5%;
2. 电压过冲范围:<50V&plun;10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度&plun;10%;
2.6 擎住电流IL:100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式
三、功能概述
3-1测试功能范围
该套测试设备主要可测试以下参数:
1.门参数测试:VGT、IGT
2.维持电流测试:IH
3.阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二管的VRRM、IRRM等参数。
4.压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。
5、电压上升率参数测试:dv/dt
6、擎住电流IL
7、门电阻:适合门触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
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