赣州回收-振鑫焱*估价-继电器回收价格

非晶硅片

非晶硅太阳电池是1976年有出現的新式塑料薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳光电池的制作方式不一样，硅材料耗费非常少，热耗更低，十分吸引住人。生产制造非晶硅太阳电池的方式有多种多样，普遍的是辉光放电法，也有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和分解反应*法等。辉光放电法是将一方解石器皿抽成真空，用射频电源加温，使*电离，产生等离子技术。非晶硅膜就堆积在被加温的衬底上。若*中掺人适当的氢化磷或氢化硼，就能获得N型或P型的非晶硅膜。衬底原材料通常用夹层玻璃或不锈钢板材。这类制取非晶硅塑料薄膜的加工工艺，关键在于严控标准气压、水流量和频射输出功率，对衬底的溫度也很关键。非晶硅太阳电池的构造有各种各样不一样，在其中有种不错的构造叫PiN充电电池，这是在衬底上先堆积一层层掺磷的N型非晶硅，再堆积一层层未夹杂的i层，随后再堆积一层层掺硼的P型非晶硅，终用电子束蒸发一层层减反射膜，并蒸镀镍/镀银电级。此类加工工艺，能够选用一个一个堆积室，在生产制造中组成持续程序流程，以保持批量生产。一起，非晶硅太阳电池太薄，能够做成层叠式，或选用集成电路芯片的方式生产制造，在1个平面图上，用适度的掩模加工工艺，一回制做好几个串连充电电池，以得到较高的工作电压。由于一般结晶硅太阳电池单独只能0.5伏上下的工作电压，如今日本国生产制造的非晶硅串连太阳电池达到2.4伏。现阶段非晶硅太阳电池存在的不足是光学变换稍低，好的水准为10%上下，且不足平稳，经常出现变换衰降的状况，因此并未很多用以作大中型太阳能发电开关电源，而大多数用以暗光开关电源，如袖珍式电子计算器、电子器件时钟及打印机等层面。

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振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，晶振回收公司，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，*偿还，返工，光伏模块回收等。

晶体硅电池片检验方法：

2 ） 外观目测：

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格

c. 背面铝背电*完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ， 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N 的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。

d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。

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电池片流程

1、 车间段位构成

WHQ ：硅片为太阳能电池片的载体，硅片的质量决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测，主要是包括厚度， TTV ，电阻率，外观 （*片，缺角，孔洞，脏污）

需注意 :

1) 切割方向会厚薄不均，放片时需 180 度错落放置以保证放入载体厚薄均匀，切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向，*水波纹出现。

2) 线痕： 单线痕

密集线痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连，放置时需轻微摇晃。

制绒： 目的：去除表面损伤层，对表面进行凹凸处理 ，清楚表面硅酸钠，氧化物，油污以及金属。以提高光电转换率。

需注意 :

减重 ，活性不均匀会影响到后面 PEVCD 工序使硅片出现问题制绒过程中， 制绒面朝下，装入载体，载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时，两小时内要及时送入下一工序。