艾默生ups不间断电源GXE06k00TL1102C00高频

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①普通二管普通二管(General Pure Diode )又称整流二管(Rectifie 
过此大值（ode),多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长，一般在5m以上，这在开关频率不高时并不重要，在参数表中甚至不列出这一参数。但其正向电流定额和往反向电压定额却可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。
②快恢复二管恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短（一般在5s以下）的二管被称为快恢复二管(FRD,Fast Recovery Diode ),简称快速二管。工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结结构，也有的采用对此加以改进的PN结构。特别是采用外延型PiN结构的所谓的快恢复外延二管(FRED,Fast Recovery Epitaxial Diodes ),其反向恢复时间更短（可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。不管是什么结构，快恢复二管从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns
③肖特基二管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二管，称为肖特基势垒二管(SBD.Schottky Barrier Diode ),简称为肖特基二管。与以PN结为基础的电力二管相比，其优点在于：反向恢复时间短(10~40ns肖特基二管在正向恢复过程中不会有明显的电压过冲，在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二管还要小。其弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时，其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此其反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。