磁控溅射设备价格-磁控溅射设备-沈阳鹏程真空技术公司(查看)
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- 名称沈阳鹏程真空技术有限责任公司 【公司网站】
- 所在地中国
- 联系人 董顺
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价格
面议
点此议价
- 采购量 不限制
- 发布日期 2021-12-27 17:55 至 长期有效
磁控溅射设备价格-磁控溅射设备-沈阳鹏程真空技术公司(查看)产品详情
磁控方箱生产线介绍
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标: *限真空度6.7×10-5Pa,系统漏率:1×10-7PaL/S; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 Pa(短时间暴露 大气并充干燥氮气后开始抽气)
镀膜方式:磁控靶为直靶,磁控溅射设备公司,向下溅射成膜; 样品基片: 负偏压 -200V
样品转盘:在基片传输线上连续可调可控,在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动,计算机控制其水平传递;
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统,计算机控制系统的功能:对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集,对位移误差进行计算,以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换,可实现换位镀膜。
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磁控溅射的工作原理
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磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴*靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,磁控溅射设备价格,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向*移,简称E×B*移,其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,磁控溅射设备,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。
卧式磁控溅射镀膜机
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主要用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
系统组成:
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
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