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超纯硅（每一千个原子中杂质不高于几个原子）是重要的半导体材料，广泛用于计算机、微波通讯、光纤通讯、太阳能发电等方面。半导体硅材料发展很快，每年

单晶硅的用量超过2500吨，硅片消费25亿平方英寸。我国硅材料的研究和生产也有很大发展，直径3英寸以下的单晶已达到国际水平，并且建立了切、磨、抛

工艺和设备，但总体水平与国际上还有一定差距

硅的熔炼炉达到高产的目的，除了要求良好的电炉参数，库存组件多少钱，精良的原料，合理的配比之外，操作方法的好坏是十分重要的因素。合理的加料方法对料层结

构，二手旧组件多少钱，电*在炉内的稳定性和热能的充分利用，起着主导的作用。生产中，加料和捣炉是结合进行的。要根据熔炼过程的不同情况和特点，适时地完成加料、捣炉作

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硅熔炼过程中，电炉电气参数的控制是由配电工作完成的。一般情况下就是控制电*的埋入深度。浅埋电*，一般表明还原剂过剩，电*附近形成火眼，电弧

声响亮，出炉硅温度低，数量少、电耗高。深埋电*，如果炉料中还原剂过少，电*将处于较低位置。因为炉料电阻随着炉料中碳的减少而*，电阻*使电流负

荷下降，电*消耗增加，生产率降低。

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