便携式IGBT测试仪批发-华科便携式测试台

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集电*电流 Ic： 50 ~ 1000A *负载；

4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，便携式IGBT测试仪，Ic， 电感值（自动计算脉宽）；

4.6 双电流脉冲的设置： Vcc， Ic， 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；

（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（*动态测试）。

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门*漏流）、IGESR（反向门*漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门*电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集*漏流）、VF（二*管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在*工作状态下的电流及电压，便携式IGBT测试仪加工，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。每个电流模块，都具有*的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，便携式IGBT测试仪批发，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，便携式IGBT测试仪现货供应，电压5KV，测试范围广；001～10V 集电*电流ICE： 0-1600A 集电*电压VCEs： 0。C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二*管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；