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半导体泵浦激光器产生废热少,所需冷却系统小,一般只需1匹的冷水机即可,需灯泵浦激光器一般都需要二匹以上的冷水机,同时需要较大水泵以提供较大的冷却水流。因此其运行灯泵浦激光标记机的运行噪音较大,同时庞大的冷水机会产生更多的热量,巢湖激光打标机,尤其在南方夏季,环境气温较高,这些多余的热量会使工人的工作环境更恶劣,或者需要更多的空调系统来调节工作环境的温度,*了生产成本。






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由于半导体泵浦的转换,模式好,更易聚焦出高能量的更小面积的光点,光纤激光打标机,标记同样的物体时,其所需的外部能量会更小。同时其产生的废热也远远小于灯泵浦激光器,决定了其不需要灯泵浦激光器那样庞大的冷却系统。所以半导体泵浦的激光器系统的功耗比灯泵浦小得多。

一个50W的灯泵浦激光打标机的功耗在6KW左右,而一个50W半导体激光标记机的功耗只在2KW左右,以三年为例,一天工作24小时,一个月工作28天,一度工业用电1.1元,光耗电一项,一台半导体激光器就比一台灯泵浦激光器节省(6-2)KW*24小时*28天*12月*3年*1.1/度=10.645万 元!






1“6403”高能钕玻璃激光系统 1964年启动,后从技术上判定热效应是根本性技术障碍,激光打标设备,于1976年下马。这一项目对发展高能激光技术有历史贡献是不可忽视的,它使我国激光技术的水平上了一个台阶。其成果主要表现在:

(1)建成了具有工程规模的大口径(120毫米)振荡—放大型激光系统,大输出能量达32万焦耳;改善光束质量后达3万焦耳。

(2)实现了系统技术集成,成功地进行了实验,室内10米处击穿80毫米铝靶,室外2公里距离击穿0.2毫米铝耙,并系统地研究了强激光辐射的生物效应和材料*机理。

(3)一次揭示了强光对激光系统本身的光损伤现象和机制。

(4)一次深入和理解激光光束质量的重要性和物理内涵,采用了一系列提高光束质量 的性技术,如万焦耳级非稳腔激光器、片状激光器、振荡—扫瞄放大式激光系统、尖劈法光束质量诊断等。

(5)激光元器件和支撑技术有了突破性提高,如低吸收高均匀性钕玻璃熔炼工艺、高能脉冲氙气、高强度介质膜、大口径(1.2米)光学精密加工等。

(6)培养和造就 了一批技术骨干队伍。






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