NR9 3000PY光刻胶-赛米莱德公司

光刻胶的相关内容

光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，NR9 3000PY光刻胶，高对比度，好的蚀刻阻*性，高分辨力，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（Tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。

感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在*过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。

在*过程中，正性胶通过感光化学反应，NR9 3000PY光刻胶价格，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以*后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。*后的光刻胶溶解速度几乎是未*的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在*区间显影，负性胶则相反。负性胶由于*区间得到保留，NR9 3000PY光刻胶多少钱，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。

光刻胶主要用于图形化工艺

以半导体行业为例，光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的工艺。图形化可以简单理解为将设计的图像从掩模版转移到晶圆表面合适的位置。

一般来讲图形化主要包括光刻和刻蚀两大步骤，分别实现了从掩模版到光刻胶以及从光刻胶到晶圆表面层的两步图形转移，流程一般分为十步:1.表面准备，2.涂胶，3.软烘焙，4.对准和*，5.显影，6.硬烘焙，7.显影检查，8.刻蚀，9.去除光刻胶，10.终检查。

具体来说，在光刻前首先对于晶圆表面进行清洗，主要采用相关的湿*，包括氨水等。

晶圆清洗以后用旋涂法在表面涂覆一层光刻胶并烘干以后传送到光刻机里。在掩模版与晶圆进行对准以后，光线透过掩模版把掩模版上的图形投影在光刻胶上实现*，这个过程中主要采用掩模版、光刻胶、光刻胶配套以及相应的气体和湿*。

对*以后的光刻胶进行显影以及再次烘焙并检查以后，实现了将图形从掩模版到光刻胶的次图形转移。在光刻胶的保护下，对于晶圆进行刻蚀以后剥离光刻胶然后进行检查，实现了将图形从光刻胶到晶圆的第二次图形转移。

目前主流的刻蚀办法是等离子体干法刻蚀，主要用到含氟和含体。

光刻胶的作用

光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需 要的模板图案。光刻胶又称光致*蚀剂，是以智能

管感光材料，在光的照射与溶解度发生变化。

光刻胶成份

光刻胶通常有三种成分:感光化台物、基体材料和溶剂。在感光化台物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和

正性光刻胶。

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类

2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物，以酚醛树脂为基体材料。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。

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