9N90品质mos管-品质mos管-ASEMI

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绝缘型场效应管的栅*与源*、栅*和漏*之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅*为金属铝，故又称为MOS管。它的栅*-源*之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。

与结型场效应管相同，品质mos管，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：

N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、

P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）

型号：20N10

封装：TO-220AB

漏*电流（VDS）：20A

漏源电压（ID）：100V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：插件

种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电*，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

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MOS管发热原因是什么？

MOS管发热，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，90N10品质mos管，显现交流特性而具有阻*，形成电流。有电流就有发热，并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅*电压爬升缓慢时，9N90品质mos管，导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点，6N60品质mos管，这时，导通电阻很大，发热比较厉害。第三个原因是导通后，沟道有电阻，过主电流，形成发热。主要考虑的发热是和第3点。许多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。超过此温度，MOS管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。