该怎么选型-ASEMI-6N60该怎么选型

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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）

型号：20N10

封装：TO-220AB

漏*电流（VDS）：20A

漏源电压（ID）：100V

工作温度：-55℃~150℃

封装形式：插件

种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电*，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，该怎么选型，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压;

·标准的N沟道MOS管，9N90该怎么选型，VT约为3~6V;·通过工艺上的改进，6N60该怎么选型，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比

·这一特性有时以流过栅*的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET

型号：24N50

封装：TO-247/3P

漏*电流（VDS）：24A

漏源电压（ID）：500V

工作温度：-55℃~150℃

种类：场效应晶体管

品牌：ASEMI

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

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