品质MOS管-ASEMI-25N120品质MOS管

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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET

型号：24N50

封装：TO-247/3P

漏*电流（VDS）：24A

漏源电压（ID）：500V

工作温度：-55℃~150℃

种类：场效应晶体管

品牌：ASEMI

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，6N65品质MOS管， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

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MOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏*特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，6N60品质MOS管，RON的数值很大，品质MOS管，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

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绝缘型场效应管的栅*与源*、栅*和漏*之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅*为金属铝，故又称为MOS管。它的栅*-源*之间的电阻比结型场效应管大得多，25N120品质MOS管，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。

与结型场效应管相同，MOS管工作原理动画示意图也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：

N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、

P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

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