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烧结法: ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,金电解槽设计报价,需求量都很大。










在深加工产品这一领域,如何来提升产品的技术含量和档次,纳米技术、纳米材料的科学研究,实践应用是这个产业向产业化发展的方向,成为当代关注和竞争的主要课题。


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