大功率IGBT测试仪-华科IGBT测试平台

11）动态测试续流二*管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1V

?浪涌电流大于20kA

?反向恢复时间小于2μs

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%

12）安全工作区测试续流二*管

?浪涌电流大于20kA

?反向恢复时间小于2μS

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%

13）被测器件旁路开关

被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。

?电流能力DC 50A

?隔离耐压15kV

?响应时间150ms

?工作方式气动控制

?工作气压0.4MPa

?工作温度室温～40℃

?工作湿度<70%

半导体元件除了本身功能要良好之外，大功率IGBT测试仪厂家，其各项参数能否达到电路上的要求，大功率IGBT测试仪批发，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，大功率IGBT测试仪，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其*性的不同，大功率IGBT测试仪现货供应，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在*短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

测量目的：对模块的电压降参数进行检测， 可判断模块是否处于正常状态。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可*发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而*。