赛米莱德公司(图)-金属光刻胶价格-金属光刻胶

光刻胶的主要技术参数

1．灵敏度（Sensitivity）

灵敏度是衡量光刻胶*速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的*剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

2．分辨率（resolution）

区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：

(1) *系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、*、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。

想了解更多关于光刻胶的相关资讯，请持续关注本公司。

光刻胶定义

以下是赛米莱德为您一起分享的内容，赛米莱德生产光刻胶，欢迎新老客户莅临。

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外*或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为*蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为*刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。

光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，*的负性光刻胶或未*的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，金属光刻胶多少钱，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。

光刻胶按其形成图形的*性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的*部分被去掉，而负胶的*部分被保留。

光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，金属光刻胶生产厂家，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，金属光刻胶价格，如控制胶的光吸收率/溶解度等。

微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢？

赛米莱德生产、销售光刻胶，金属光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。

一般来说线宽的用正胶，线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于*湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。