莱西热处理-万利鑫热处理-转子热处理

半导体芯片退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，沉头内六角热处理，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。

2稳定化处理。一般是在固溶处理后进行常用于含Ti、Nb的18-8钢固处理后将

钢加热到850880℃保温后空冷 此时Cr的碳化物完全溶解脱而钛的碳化物不完全溶

解且在冷却过程中充分析出使碳不可能再形成格的碳化物因而有效地消除了晶间腐蚀。

2加入合金元素使钢的表面形成一层稳定的、完整的与钢的基体结合牢固的纯化

膜。从而提高钢的耐化学腐蚀能力。如在钢中加入 Cr，莱西热处理，Si.Al等合金元素 使钢的表层形

成致密的Cr2O3，SiO2，Al2O3等氧化膜 就可提高钢的耐蚀性。

3加入合金元素使钢在常温时能以单相状态存在减少微电池数目从而提高钢的

耐蚀性。如加入足够数量的Cr或CrNi，使钢在室温下获得单相铁 素体或单相奥氏体。

4加入Mo、Cu等元素提高钢*非氧化性酸腐蚀的能力。

5加入TiNb等元素消除Cr的晶间偏析从而减轻了晶问腐蚀倾向。

6加入Mn、N等元素代替部分Ni获得单相奥氏体组织同时能大大提高铬不锈

钢在有机酸中的耐蚀性。