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IGBT全称绝缘栅双*晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个*分别是集电*(C)、发射*(E)和栅*(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电*饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双*型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双*型晶体管复合而成的一种器件，其输入*为MOSFET，输出*为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双*型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅*和发射*之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，led驱动ic，这样PNP晶体管的集电*与基*之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅*和发射*之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基*电流的供给，led驱动控制ic，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅*—发射*间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

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IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双*晶体管结构， N 区称为源区，附于其上的电*称为源*。N 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电*称为栅*。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双*晶体管，起发射*的作用，向漏*注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电*称为漏*。

IGBT的开关作用是通过加正向栅*电压形成沟道，led 驱动 ic，给PNP 晶体管提供基*电流，使IGBT 导通。反之，加反向门*电压消除沟道，切断基*电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入*N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻*特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P 基*注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。