快恢复二*管品牌-强元芯电子品质供应商

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雪崩击穿　　

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子*移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结不可逆性损坏。

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在电子电路中，大功率快恢复二*管品牌，二*管的正*接在低电位端，负*接在高电位端，此时二*管中几乎没有电流流过，此时二*管处于截止状态，这种连接方式，快恢复二*管品牌，称为反向偏置。二*管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二*管，称为漏电流。当二*管两端的反向电压*到某一数值，反向电流会急剧*，二*管将失去单方向导电特性，这种状态称为二*管的击穿。

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11、PIN型二*管（PIN Diode）

这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二*管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，LED快恢复二*管品牌，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二*管失去整流作用而变成阻*元件，并且，其阻*值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻*很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻*状态。因此，可以把PIN二*管作为可变阻*元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。