河北回收废旧太阳能电池板优选企业“本信息长期有效”

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：*回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，*偿还，返工，光伏模块回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴*上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的*能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电*上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电*。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

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影响因素

1. 温度

温度过高，首先就是 IPA不好控制，温度一高， IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了 PN 结的有效面积，反应加剧 ， 还会出现片子的*浮，造成碎片率的增加。

可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。

2. 时间

金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以调节时间。

3.IPA

1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯 NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面*比较大，各个晶面被腐蚀而消融， IPA 明显减弱 NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于 1 。

可控程度：根据配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔绒面。 NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的 NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。 NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与 IPA 类似，控制精度不高。

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影响因素

1. 温度

温度 T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。

2. 时间

对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。

对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。

3. 浓度

决定浓度是因素：氮气流量、源温。

表面浓度越大，扩散速度越快。

4. 第三组元

主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。

控制点

方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。

方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S， 对方块硅片，长度等于宽度，则 R= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度， Xj ：扩散结深。

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