盐城电池组件-振鑫焱拆卸组件价格-回收电站拆卸电池组件

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六、 虚印：

1、 网版堵塞：用醇先擦一遍，再用干无尘布擦干；

2、 印刷*条不平:更换*条；

3、 网版不合格：更换网版；

4、 车间温度与湿度不合适：温度控制在22±2℃，湿度控制在50±3%；

5、 印刷参数不合格：调整印刷压力、印刷间隙与印刷速度

6、 工作台板不平，磨损严重：检查更换工作台板；

7、 印刷机导轨不平：设备重新调整导轨；

七、 粗线：

1、 原硅片为线痕片：控制线痕原硅片；

2、 网版使用次数太多，张力不够：更换新网版。

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，*限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，工程拆卸电池组件回收，返修，盐城电池组件，太阳能发电控制模块收购等。

电池片各工艺流程危害要素及异常现象

一回清理危害要素

1.溫度

溫度过高，先就是说IPA不太好操纵，溫度一高，IPA的蒸发迅速，汽泡印就会随着出現，那样就大大减少了PN结的合理总面积，反映加重，还会出現影片的*浮，导致残片率的提升。可控性水平：调整设备的设定，能够非常好的调整溫度。

2.時间金字塔式随時间的转变：金字塔式慢慢冒出；表层上基础被小金字塔式遮盖，少数刚开始成才；金字塔式满布的绒面早已产生，仅仅尺寸不匀称，透射率也降至较为低的状况；金字塔式向外扩大企业兼并，容积慢慢澎涨，规格趋向平等，透射率略微降低。可控性水平：调整机器设备主要参数，能够*的调整時间。

3.IPA1.帮助氡气的释放出来。2.变弱NaOH水溶液对硅片的浸蚀幅度，调整各向系数。纯NaOH水溶液在高溫下对分子排序较为稀少的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大，每个晶面被浸蚀而消溶，IPA显著变弱NaOH的浸蚀*压强度，提升了浸蚀的各向异性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高，碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱，各向异性系数又趋向3。可控性水平：依据初次配液的含水量，及每一次大概耗费的量，来填补足量的液體，线性度不高。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：*回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，回收*碎电池组件，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，*偿还，返工，光伏模块回收等。

刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体*成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物*而被去除。

化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4. 压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。