强元芯电子有限公司-郴州快恢复二*管品牌

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快恢复二*管检测注意事项

注意事项：

（1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，充电桩快恢复二*管品牌，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。

（2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。

（3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，低压降快恢复二*管品牌，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。

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晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的*移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，大功率快恢复二*管品牌，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

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雪崩击穿　　

另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子*移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，郴州快恢复二*管品牌，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结不可逆性损坏。