负性光刻胶供应商-负性光刻胶-北京赛米莱德公司(查看)

光刻胶市场

据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。

国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，负性光刻胶，会在一定程度上增加对G线、I线的需求，利好G线、I线等生产企业。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额，I线正胶将占据40%左右的市场份额，负性光刻胶公司，DUV等其他光刻胶约占10%市场份额，负性光刻胶供应商，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。

问题回馈：

1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知，Futurrex

有几款胶很，NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

A 美国光刻胶，Futurrex

正胶PR1-2000A

， 去胶液RR4，负性光刻胶哪里有，和显影液RD6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品？

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A ， 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

A Futurrex， NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS

silyiation process，可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide，可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

A Futurrex ， NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。

6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？

A 可以考虑使用Futurrex

，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7，它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．请问，那位知道，RIE

Mask，用什么光阻比较好？

A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？

A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？

A 有一种胶很适合，美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY，都适合在OLED制程中做*cers

光刻工艺重要性二

光刻胶的*波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着*波长的缩短，光刻胶所能达到的*限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲*积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。