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抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加区域等作用。

抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。抛光垫的剪切模量或*抛光垫的可压缩性,CMP过程材料去除率*;采用表面合理开槽的抛光垫,可提高材料去除率,降低晶片表面的不均匀性;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较,舟山抛光垫,在线修整时修整效果比较好。




为满足芯片微型化、高密度化、高速化、高数字化和系统集成化的要求,对芯片直径、平坦化、线宽和金属互连层数提出了更高要求,抛光垫厂家,这也对晶片的精密加工提出了更高要求。

半导体晶圆(芯片)加工工艺流程如图1所示。

由于大规模集成电路(ULSI)向高度集成和多层布线发展,化学机械抛光、平坦化已成为集成电路制造不可缺少的关键工艺。它不仅是硅晶圆加工中终获得纳米光滑、无损伤表面的有效方法,也是芯片多层布线中*的层间局域平坦化方法。


在晶圆(芯片)制造过程中(见图1)多次使用CMP工艺。

化学机械抛光过程(见图2)使用安装在刚性抛光平盘上的柔性抛光垫,硅片被压在抛光垫上,抛光垫价格,在抛光液的作用下进行抛光,抛光液含有化学液(即H2O2)和纳米磨料。硬的硅基陶瓷材料由磨料的机械作用抛光,而金属则由金属和抛光液内的化学物质之间的化学反应进行抛光,即采用化学与机械方法综合作用去除多余材料而得到平坦化的高质量表面。




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