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高压数字芯片-数字芯片-生产电子驱动ic厂家

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数字电路老炼测试

数字电路高温老炼测试系统是一种用于数字电路老化筛选的*试验设备,它可实现在动态老炼过程中对器件进行功能测试。首先概括介绍了可靠性筛选试验、器件高温老炼原理和方法等基础知识,并在阐述数字电路动态功率老炼和在线功能测试基本原理的基础上,对该系统的硬件组成、工作原理、结构特征、技术指标等方面做了介绍。




将*放在系统软件的开发和设计上。对用户需求和软件设计要求分析后,首先根据系统功能对软件进行总体设计,确定了两个主功能模块:功率老炼模块、功能测试模块和三个辅助模块:工作电压控制模块、测试器件数据库管理模块、结果处理模块,并将主模块细分出若干子功能模块。然后结合设计语言——Delphi的特点,进一步详细论述了各功能模块的设计和软件实现,并给出相应的程序实现界面。 后总结了该系统软件的特点,并提出了软件进一步完善的方案。


IC常见的问题

EM (electron migration,电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象,指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子,所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上,电子的流动会产生不小的动量,这种动量作用在金属原子上时,就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜,结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平,造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程,当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候,就会造成IC内部导线的断路与短路,而终使得IC报废。温度越高,高压数字芯片,电子流动所产生的作用就越大,其**IC内一条通路的时间就越少,即IC的寿命也就越短,5v模拟数字芯片,这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 : SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门*(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度,电势高形成深沟道电流就大,电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门*导电底下的沟道也导电,那就必须中间有个绝缘介质把他们分开,否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够,数字芯片技术,工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差,必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH,问题由此产生。








针对时钟分频系数较大的情况下,传统电路实现分频需要大量的寄存器,导致芯片功耗和面积增加的问题,提出了一种异步分频与门控时钟技术相结合的低功耗逻辑综合方案。基于HHGrace 0.11μm ULL工艺,通过采用所提出的方案和使用Design Compiler工具,数字芯片,完成了Σ-ΔADC芯片中数字集成电路的逻辑综合。结果表明,使用该方案得到的数字IC的功耗为132.627μW。与传统方案相比,功耗降低了38.88%,面积缩小了2.7%。与门控时钟综合方案相比,功耗降低了25.43%。




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