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磁控溅射原理

溅射过程即为入射离子通过--系列碰撞进行能量和动量交换的过程。

电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar离子和电子，电子飞向基片，在此过程中不断和Ar原子碰撞，产生更多的Ar离子和电子。Ar离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。

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磁控溅射的原理

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成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，真空磁控溅射镀膜机哪家好，可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。

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直流磁控溅射技术

为了解决阴*溅射的缺陷，人们在20世纪开发出了直流磁控溅射技术，它有效地克服了阴*溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点，因而获得了迅速发展和广泛应用。其原理是：在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度*，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，真空磁控溅射镀膜机，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳*时，真空磁控溅射镀膜机生产厂家，已变成低能电子，从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜，而且磁控电*中采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，一般仅为20%-30%。

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