安川G7变频器维修-润频自动化设备公司

变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和*电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双*晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅*为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，安川G7变频器维修服务，它的三个*分别是集电*C、发射*E和栅*G。工作特点是，安川G7变频器维修哪家好，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻*很高，栅*电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电*电流I。

变频器用GTR的选用⑴Uceo通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥2厂2U在电源电压为380V的变频器中，应有Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。⑵Icm按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2InGTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基*驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，安川G7变频器维修价格，这是其不足之处。

变频器维修在起动初始阶段，因输出频率和电压均在较低的幅值内，负载电机存在故障时，安川G7变频器维修，虽造成较大的输出电流，但此电流往往在额定值以内，电流检测电路及时动作，变频器维修实施保护停机动作，模块无炸毁之虞。但若在全速（或近于全速）运行情况下，三相输出电压与频率均达较高的幅值，此时电机绕组若有电压击穿现象，会于瞬间形成*大的浪涌电流，则逆变模块在电流检测电路动作之前，已经无法承受而炸裂损坏了。