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6、加工工艺小圆圈该怎样判？

人们检测处未作退级解决，假如发觉小圆圈的半经超出1.6mm立即向主管意见反馈或告之品管部，PECVD处会立即将高纯石墨舟换下来

7、隐裂片怎样造成？怎样判？

大部分是原料的难题，另一个是影片在外扩散高溫反映后內部分子结构产生撞击。在多芯片里，一些隐裂片裂缝并不是很长，能够按文档规定作需切角。

8、空气氧化的电池片怎样判？

如果不是将其风干，依据空气氧化后得色调判。（淡*）

9、怎样了解跑模产生在哪儿一条？

以料浆的色调来判，第二条豫第三道的料浆是不会改变的，各自是铝浆和银浆，色调各自为深灰色和乳白色。一层有将会是银浆或银铝浆，银铝浆是灰白，另一个，要看漏浆的部位。

10、对断开未超出2mm的电池片，判断不相同？ 先依照文档判断是不是超出规定的总数，如果不是，按断开的显著水平及部位。

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晶体硅电池片检验方法：

2 ） 外观目测：

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格

c. 背面铝背电*完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ， 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N 的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。

d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。

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扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 P 型硅片的基础上扩散一层 N 型磷源，形成 PN 结。

扩散原理

POCl 3 在高温下 （ gt; 600 ℃ ） 分解生成* （ PCl 5 ） 和* （ P 2 O 5 ）， 其反应式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：

2P 2 O 5 5Si = 5SiO 2 4PPOCl 3

热分解时，如果没有外来的氧（ O 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，*硅片的表面状态。但在有外来 O2 存在的情况下， PCl 5 会进一步分解成 P2O 5 并放出*（ Cl 2 ）其反应式如下：

4PCl 5 5O 2=2P 2 O 5 10Cl 2

生成的 P 2 O 5 又进一步与硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 POCl 3 分解产生的 P 2 O 5 淀积在硅片表面， P 2O 5 与硅反应生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。