临汾*损光伏组件推荐

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影响因素

1. 温度

温度过高，首先就是 IPA不好控制，温度一高， IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了 PN 结的有效面积，反应加剧 ， 还会出现片子的*浮，造成碎片率的增加。

可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。

2. 时间

金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以调节时间。

3.IPA

1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯 NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面*比较大，各个晶面被腐蚀而消融， IPA 明显减弱 NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于 1 。

可控程度：根据配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔绒面。 NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的 NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。 NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与 IPA 类似，控制精度不高。

晶硅太阳能光伏板的制做全过程

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六氟硅酸，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的*汽体。若盐酸过多，反映转化成的*会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六氟硅酸。

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场*下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。

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电池片的检测

一、检测的标准

1．高于800LX的直射下，间距电池片30-50cm的间距，看着方位垂直平分电池片表层观查。

二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。

三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及*孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸