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脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光脉冲沉积装置厂家，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell，激光脉冲沉积装置价格， E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。

脉冲激光沉积简介

随着现代科学和技术的发展，激光脉冲沉积装置，薄膜科学已成为近年来迅速发展的学科领域之一，是凝聚态物理学和材料科学的一个重要研究领域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不仅具有丰富的物理内涵，而且在微电子、光电子、超导材料等领域具有十分广泛的应用。长期以来，人们发明了多种制膜技术和方法：真空蒸发沉积、离子束溅射、磁控溅射沉积、分子束外延、金属有机化学气相沉积、溶胶- 凝胶法等。上述方法各有特点，并在一些领域得到应用。但由于其各有局限性，仍然不能满足薄膜研究的发展及多种薄膜制备的需要。随着激光技术和设备的发展，特别是高功率脉冲激光技术的发展，脉冲激光沉积（PLD）技术的特点逐渐被人们认识和接受

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脉冲激光沉积发展前景

由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，激光脉冲沉积装置公司，它是一种*发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。

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