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黑碳化硅氧化的原因


黑碳化硅材料在普通条件下(如大气1000℃-2000℃)具有较好的性能,这是由于在高温条件下,黑碳化硅磨料,材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜,氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小,因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下,如在足够高的温度下或较低的氧分压下,SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀,这将导致材料被快速氧化,即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止,对材料在高温、氧化气氛中,硅材料表面会生成致密的SiO2膜,它的反应为:

  SiC 3/2O2→ SiO2 CO

  SiC 2O2 →Sio2 CO2

  表层SiC到SiO2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明,SiC的早期氧化产物为玻璃台态SiO2膜。随着氧化温度的升高,约800~1140℃,玻璃态SiO2膜发生晶化。相变将产生体积变化,黑碳化硅,这使得SiO2保护膜结构变得疏松,进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样,其氧化保护作用骤减。另外,当黑碳化硅材料循环使用时,由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大,而基材的热膨胀系数变化不大,这样,保护膜与基材间热应力变化较大,保护膜易。对于空隙较多的制品,黑碳化硅价格,如氮化硅结合材料,会发生晶界颈部氧化,产生的SiO2导致晶界处体积膨胀,膨胀应力将会导致制品*:的惰性氧化会产生气体产物,这将产泡现象,使SiO2膜的氧化保护作用减小。

  黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应,所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素,从而确保材料的优良属性不会被*。










黑碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、*冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。

另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作*、耐蚀、耐高温等碳化硅陶瓷材料;还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。此外,碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。



黑碳化硅颗粒的需求量不断加大,黑碳化硅厂家在合理利用资源的同时,采用正确的加工方法生产出高质量碳化硅微粉,促进经济效益的发展。

黑碳化硅微粉是把石英,黑碳化硅厂家,碳和木屑装入电炉中,在1900-2000℃的高温下合成的。

反应烧结是用一种高温型碳化硅粉末和碳粉混合,加入粘结剂后压成所需的形状,放入盛有硅粉的炉子中,加热到1600-1700℃,使熔融的硅和硅的蒸汽渗透到制件中与碳反应生成低温型碳化硅,把原来高温型碳化硅紧密的结合在一起。这种反应烧结碳化硅又叫自结合碳化硅。






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