变频器用IGBT测试仪批发-华科功率器件测试仪

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅*电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电*电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅*漏电流测试电路 栅*漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅*电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?3半导体变流器变压器和电*器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二*管。脉冲时间：40~100ms可设定

3.6VCES集射*截止电压0~5000V集电*电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电*电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射*截止电流0.01～50mA集电*电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电*电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电*电流ICE：0-1600A集电*电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅*电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电*电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅*漏电流0.01～10μA栅*漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅*电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二*管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对。