MUR3060PT大芯片-大芯片-ASEMI

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摘要 : 二*管的正负*和电池的正负*是两个不同的概念。 二*管是单向导电的器件，二*管的正负*表示电流只能从正*流入，从负*流出，电源接反了电流不能导通；电池的电流是从正*

二*管的正负*和电池的正负*是两个不同的概念。

二*管是单向导电的器件，二*管的正负*表示电流只能从正*流入，从负*流出，电源接反了电流不能导通；电池的电流是从正*流出，大芯片，通过外电路流向负*，在电源内部电流方向是由负*流向正*。如下图：

“从二*管负*出来的是正电还是负电”的提法实际上是没什么意义的，电流只能区别它的流动方向是从高电位流向低电位，没有什么正电负电的说法。

如果做作整流桥内的二*管，那么它实际就相当于一个电源，从二*管负*出来的电流我们可以称作是从电源正*出来的

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摘要 : 说到MBR30150PT，我们先简单分绍一下它的参数： 肖特基二*管MBR30150PT，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此

说到MBR30150PT，我们先简单分绍一下它的参数：

肖特基二*管MBR30150PT，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此30A的电 流量程使得MBR30150PT应用广泛，应用于各种电路控制板，液晶屏电流转换，大功率适配器等等。

在电路设计当中常用的另外两个参数是正向压降和反向漏电流，对于一个电路来说，电路损耗是一定需要考虑的，肖特基二*管MBR30150PT，它的正向压降是0.89V，比普通的二*管1.1V，少了1/4的电路损耗，这个比率是可观，于对一款产品来说，节能在现在代企业当中是一个重要的指标，MUR2060AC大芯片，另一个是参数反向漏电流也是重要的，MUR3060PT大芯片，反向漏电流过来，会使得电路的性能差，严重的可能损坏整个电路，MUR20100CTR大芯片，MBR30150PT的反向漏电流地般都控制在10~20UA，这个值是一个比较低的值和电路中的正向电流相比可以忽略不计，

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摘要 : 肖特基产品应用注意 应小于肖特基二*管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二*管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二*管的实际工作温升应小于肖肖特基产品应用注意

　　应小于肖特基二*管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二*管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二*管的实际工作温升应小于肖特基二*管的高结温Tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二*管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加*和吸收电路。6.肖特基二*管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

表1是MBR2040、MBR2060、MBR20100、MBR20150、MBR20200的参数比较。例如：用MBR20100代换MBR2040，虽然MBR20100的反向击穿电压比MBR2040高，似乎代换没问题。但是MBR20100的正向压降比MBR2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成 5V和 12V电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来*。